اولین CMOS front-end 24 GHz در یک فرایند

این مقاله اولین GHz CMOS FRONT –END – ۲۴ گیگا هرتز را در یک فرآیند ۱۸/۰ را گزارش می کند . آن شامل یک تقویت کننده کم پارازیت( LNA ) و یک mixerو down converts و توان ورودی GHz-RF 24 به یک IF 5 گیگا هرتزی می شود . آن یک افزایش قدرت dB5/27 که یک شکل پارازیت محلی dB6/7 با توان ورودی برگشت ناپذیر را دارد .
LNA یک افزایش قدرت dB 15 و یک شکل پارازیتی dB 6 در mA 16 از مدار dc را بدست می آورد .مرحله توان ورودی ( LNA ) یک در دریچه مشترک با توپولوژی Feed through مقاوم را بکار می برد . اجرای تحلیلهای این توپولوژی ، نتایج آزمایش را با دقت فرآوران پیش بینی می کند .
شرایط و ضوابط شاخصها –CMOS مشابه مدارهای مجتمع ، پارازیت های مدارهای مجتمع ، گیرنده Front – end ( در جلویی ) تقویت کننده RF ، ارتباطات رادیویی .
رشد سریع ارتباطات رادیویی در انتقال نیروی قوی به سمت بدست آوردن موفقیت زیاد از مدارهای RF در سلسیم به ویژه CMOS نتیجه بخش بوده ، چون کم هزینه و دارای سطح بالایی از هماهنگی است . در حالیکه افزایش تقاضا به منظور بزرگتر کردن پهنای نوار ، مدارهای مجتمع را بر می انگیزد تا به سمت فرکانس های بالا حرکت کنند . کارهای اخیر CMOS را به عنوان وسیله پیشنهادی برای ساخت مدارهای RF در محدوده [۴]-[۱] کم گیگاهرتز نشان می دهد . لیکن موفقیت زیادی Front – end CMOS در کابردهای بیش از GHz20 تا کنون گزارش نشده بود . این فرکانسهای بالا پهنای نوار موجود را بالاتر می برد و استفاده از antennas ]5[ منظم در زمان بندی کوتاه برای شکل گیری beam ( شعاع ، پرتو ) [۶] ،[۷] و فاصله زمانی [۸] را ممکن می سازد . هدف از این کار توسعه در جلویی گیرنده CMOS (mixer + LAN) و در فرکانسهای بالای GHz20 ( بطور مثال گروه صنعتی و علمی و پزشکی GHz24 ) .

بدون شکل و جدول
تعداد صفحات : ۲۵
نوع فایل : ورد ۲۰۰۳ (.doc)